MBL1S-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.003104 oz。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ABS8
Diotec Semiconductor · 封装：SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SO-DIL-4 封装。ABSF15M
Diotec Semiconductor · 封装：SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.3 V，采用 SO-DIL-4 封装。B125C1500A
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 2.3 A、峰值反向电压 250 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SIL-4 封装。B125C1500B
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 2.3 A、峰值反向电压 250 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SIL-4 封装。3GBJ3516-BP-HF
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TSB-5
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1.6 kV，采用 TSB-5 封装。2W06G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 WOG-4 封装。2W08G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 WOG-4 封装。DF10S
onsemi · 封装：SDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDIP-4 封装。DF02S
onsemi · 封装：SDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDIP-4 封装。DF04S
onsemi · 封装：SDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDIP-4 封装。DF08S
onsemi · 封装：SDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDIP-4 封装。DF08S1
onsemi · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SDIP-4L 封装。B125C1500G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。B125C800DM-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFM-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.014674 oz，采用 DFM-4 封装。DPG60B600LB-TUB
IXYS · 封装：SMPD-9
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 60 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 3.19 V，采用 SMPD-9 封装。B380C5000A
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SIL-4 封装。B380C7000A
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 7 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SIL-4 封装。B380D
Diotec Semiconductor · 封装：SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SO-DIL-4 封装。B380S15A
Diotec Semiconductor · 封装：SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SO-DIL-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。