PM808LL_R2_00601
Panjit · 封装：M8-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V，采用 M8-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBJ1506ULV_T0_00601
Panjit · 封装：GBJ-2-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBJ-2-4 封装。GBJ3506ULV_T0_00601
Panjit · 封装：GBJ-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 880 mV，采用 GBJ-2-4 封装。GBJ2010_T0_00601
Panjit · 封装：GBJ-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 GBJ-2-4 封装。GBU1506ULV_T0_00601
Panjit · 封装：GBU-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 880 mV，采用 GBU-2-4 封装。GBU1508LL_T0_00601
Panjit · 封装：GBU-2-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBU-2-4 封装。GBU2506LV_T0_00601
Panjit
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.135269 oz。GBU2506ULV_T0_00601
Panjit · 封装：GBU-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 880 mV，采用 GBU-2-4 封装。GBU2508LL_T0_00601
Panjit · 封装：GBU-2-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBU-2-4 封装。GBU2508LV_T0_00601
Panjit · 封装：GBU-2 -4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBU-2 -4 封装。RPMS410_R2_00601
Panjit · 封装：M4-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV，采用 M4-4 封装。GBJ1510_T0_00601
Panjit · 封装：GBJ-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 GBJ-2-4 封装。GBJ3510_T0_00601
Panjit · 封装：GBJ-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBJ-2-4 封装。GBU2008LV_T0_00601
Panjit · 封装：GBU-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、正向电压（Vf） 920 mV、最大浪涌电流 800 A，采用 GBU-2 封装。GBJ5010_T0_00601
Panjit · 封装：GBJ-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBJ-2-4 封装。GBL410_T0_00601
Panjit · 封装：GBL-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 GBL-2 封装。GBL810_T0_00601
Panjit · 封装：GBL-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 GBL-2 封装。GBU1008LV_T0_00601
Panjit · 封装：GBU-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 940 mV，采用 GBU-2-4 封装。GBU1010_T0_00601
Panjit · 封装：GBU-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 5 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 GBU-2-4 封装。GBU1506LV_T0_00601
Panjit · 封装：GBU-2-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBU-2-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。