KBP4MI_T0_00101
Panjit · 封装：KBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBP-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录KBP4M_T0_00101
Panjit · 封装：KBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBP-4 封装。ABS2MS_R2_00101
Panjit · 封装：ABS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 ABS-4 封装。B1010S_R2_00001
Panjit · 封装：MDI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 MDI-4 封装。GBPC1506
onsemi · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC1508
onsemi · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC2510W
onsemi · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC35005
onsemi · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBPC3501
onsemi · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBPC3501W
onsemi · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。GBU4B
onsemi · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。GBU4J
onsemi · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。GBU4K
onsemi · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。GBJ2506ULV_T0_00601
Panjit · 封装：GBJ-2-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to +150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBJ-2-4 封装。GBJA1510_T0_00301
Panjit · 封装：GBJA-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV，采用 GBJA-4 封装。GBJA2510_T0_00301
Panjit · 封装：GBJA-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1 kV，采用 GBJA-4 封装。GBJA3510_T0_00301
Panjit · 封装：GBJA-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV，采用 GBJA-4 封装。KBJB1010_T0_00301
Panjit · 封装：KBJB-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1 kV，采用 KBJB-4 封装。KBJB1510_T0_00301
Panjit · 封装：KBJB-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV，采用 KBJB-4 封装。PM1008LL_R2_00601
Panjit · 封装：M8-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V，采用 M8-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。