GBL610_T0_00601
Panjit · 封装：GBL-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 GBL-2 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBJA2508_T0_00301
Panjit · 封装：GBJA-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBJA-4 封装。GBJA3508_T0_00301
Panjit · 封装：GBJA-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBJA-4 封装。GBJA2506_T0_00301
Panjit · 封装：GBJA-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBJA-4 封装。GBJA3506_T0_00301
Panjit · 封装：GBJA-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBJA-4 封装。KBJB1008_T0_00301
Panjit · 封装：KBJB-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V，采用 KBJB-4 封装。GBJA1506_T0_00301
Panjit · 封装：GBJA-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBJA-4 封装。GBJA1508_T0_00301
Panjit · 封装：GBJA-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBJA-4 封装。KBJB1006_T0_00301
Panjit · 封装：KBJB-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBJB-4 封装。KBJB1508_T0_00301
Panjit · 封装：KBJB-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V，采用 KBJB-4 封装。DXK810_T0_00001
Panjit
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.045503 oz。GBJ2510H_T0_00601
Panjit · 封装：GBJ-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12.5 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 GBJ-2-4 封装。GBJ3510H_T0_00601
Panjit · 封装：GBJ-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 17.5 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 GBJ-2-4 封装。GBU8G
onsemi · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。MB3510-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 TH、单件重量 0.846575 oz。GBU6J
onsemi · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。MB1S
onsemi · 封装：SOIC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SOIC-4 封装。MD200S16NM3-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：NM3
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 300 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.45 V，采用 NM3 封装。GBJ15L06-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBJA1508-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：JA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 JA-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。