GBL08E-E3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GBL-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBL-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBL10E-E3/A
Vishay
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBL10E-E3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GBL-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV，采用 GBL-4 封装。DF1508S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF1508S-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF1510S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF1510S-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。G5SBA60-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。G5SBA60-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。G5SBA60-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。G5SBA60-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。35-177
Eaton Electrical
Bridge Rectifiers Bridge RectifierKBJB1506_T0_00301
Panjit · 封装：KBJB-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBJB-4 封装。PMS310_R2_00601
Panjit
主要参数包括技术 Si、正向电压（Vf） 1.05 V、原产国家或地区 中国、反向电流（Ir） 3 A、反向电压（Vr） 1 kV、单件重量 0.010229 oz。GBJ2508LV_T0_00601
Panjit
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、原产国家或地区 中国、反向电压（Vr） 800 V。PMS210_R2_00601
Panjit
主要参数包括技术 Si、正向电压（Vf） 1.05 V、原产国家或地区 中国、反向电流（Ir） 2 A、反向电压（Vr） 1 kV、单件重量 0.010229 oz。PMS410_R2_00601
Panjit
主要参数包括技术 Si、正向电压（Vf） 1.05 V、原产国家或地区 中国、反向电流（Ir） 4 A、反向电压（Vr） 1 kV、单件重量 0.010229 oz。MDB6S
onsemi · 封装：MicroDIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 30 A、组装国家或地区 中国、原产国家或地区 中国，采用 MicroDIP 封装。KBJ2510_T0_00601
Panjit
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.146182 oz。GBJ2510_T0_00601
Panjit · 封装：GBJ-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 GBJ-2-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。