BU25H08-M3/A
Vishay · 封装：BU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12.5 A、峰值反向电压 800 V、最大浪涌电流 300 A，采用 BU-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DF02M-7005E3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。DF01MA-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFM
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFM 封装。DF01S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。DF01S-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。DF01SA-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF1502S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF1506S-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF1502S-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF1504S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF1504S-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF1506S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。G3SBA20-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。DF08SA-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF10M-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFM
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFM 封装。DF10MA-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。EDF1CS-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 150 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。EDF1CS-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 150 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。EDF1DM-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFM
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFM 封装。GBU8J-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。