ZXTC2045E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 1.5 A，采用 SOT-26-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BUL128D-B
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TO-220-3 封装。ZXTN08400BFFTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23F-3 封装。TIP41B
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。2N5680
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-39-3 封装。TIP32A
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 PBFREE TIP32A、单件重量 0.066668 oz，采用 TO-220-3 封装。TIP29C
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-220-3 封装。STD1802T4
STMicroelectronics · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-252-3 封装。MJD210T4G
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V，采用 TO-252-3 封装。FCX558TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-89-3 封装。DXT5551P5-13
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 PowerDI-5 封装。BF820,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。BC850B,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。2N5550TAR
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。2SC4117-BL,LF
Toshiba · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-70-3 封装。2N5551TFR
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。BCX71H,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。KSA992FATA
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 50 mA、连续集电极电流 - 50 mA，采用 TO-92-3 封装。2N3741
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-66-2 封装。BFY90
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BFY90 PBFREE、单件重量 0.011365 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。