GBPC15005
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBPC15005M
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4
主要参数包括端接方式 Screw、原产国家或地区 中国，采用 GBPC-M-4 封装。GBPC15005W
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-W-4 封装。GBPC1501
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-4 封装。GBPC1501M
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-M-4 封装。GBPC1501W
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-W-4 封装。GBPC1510
Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。GBPC2502M
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4
主要参数包括端接方式 Screw、原产国家或地区 中国，采用 GBPC-M-4 封装。GBPC1510M
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-M-4 封装。GBPC1510W
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4
主要参数包括端接方式 Solder Pin、原产国家或地区 中国，采用 GBPC-W-4 封装。GBPC25005
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-4 封装。GBPC25005M
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-M-4 封装。GBPC25005W
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-W-4 封装。GBPC2501
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-4 封装。GBPC2501M
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-M-4 封装。GBPC2501W
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-W-4 封装。GBPC2504
Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。GBPC35005M
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-M-4 封装。GBPC2504M
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4
主要参数包括端接方式 Screw、原产国家或地区 中国，采用 GBPC-M-4 封装。GBPC2506M
Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。