PB5008-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装:SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 450 A,采用 SIP-4 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay Semiconductors · 封装:SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 450 A,采用 SIP-4 封装。Vishay
Bridge Rectifiers 50A,800V ENHANCE POWER BRIDGEVishay Semiconductors · 封装:SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 4.5 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 450 A,采用 SIP-4 封装。Vishay
Bridge Rectifiers 50A,1000V ENHANCE POWER BRIDGEInfineon Technologies
主要参数包括组装国家或地区 HU、晶圆制造国家或地区 AT、原产国家或地区 AT、型号别名 DDB6U104N16RRP_B37 SP001139956。Rectron · 封装:RS-4M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 RS-4M 封装。Rectron · 封装:RS-15M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-15M-4 封装。Rectron · 封装:RS-20M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 20 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-20M-4 封装。Rectron · 封装:RS-15M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-15M-4 封装。Rectron · 封装:RS-15M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-15M-4 封装。Rectron · 封装:RS-15M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-15M-4 封装。Rectron · 封装:RS-15M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-15M-4 封装。Rectron · 封装:RS-20M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 20 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-20M-4 封装。Rectron · 封装:RS-20M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 20 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-20M-4 封装。Rectron · 封装:RS-20M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 20 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-20M-4 封装。Rectron · 封装:RS-20M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 20 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-20M-4 封装。Rectron · 封装:RS-20M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 20 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-20M-4 封装。Rectron · 封装:RS-25M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-25M-4 封装。Rectron · 封装:RS-20M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 20 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-20M-4 封装。Rectron · 封装:RS-2M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-2M-4 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。