KBL01-M3/P
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录KBL02-M3/P
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。KBL04-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：KBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBL 封装。KBL04-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 850 mV、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。LVE1560E-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、正向电压（Vf） 850 mV，采用 GSIB-5S-4 封装。MB2S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 TO-269AA 封装。LVE1560E-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 600V,15A Low VF, Single in line BridgeLVE2560E-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、正向电压（Vf） 870 mV，采用 GSIB-5S-4 封装。LVE2560E-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 600V, 25A Low VF, Single in line BridgeLVE2580E-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 12.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 890 mV，采用 GSIB-5S 封装。LVE3060E-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 30 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 880 mV，采用 GSIB-5S-4 封装。LVE3560E-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 870 mV，采用 GSIB-5S-4 封装。LVE4060E-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 880 mV，采用 GSIB-5S-4 封装。LVE5060E-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S-4
主要参数包括技术 SI、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 890 mV，采用 GSIB-5S-4 封装。PB4008-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4.4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.01 V、最大浪涌电流 400 A，采用 SIP-4 封装。PB4008-E3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 40A,800V ENHANCE POWER BRIDGEPB4010-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.01 V、最大浪涌电流 400 A，采用 SIP-4 封装。RMB2S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。PB4010-E3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 40A,1000V ENHANCE POWER BRIDGEPB5006-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 45 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 450 A，采用 SIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。