GBU25H08-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 25A,800V,INLINE BRIDGE分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBU4A-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU4A-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU4D-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU4D-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU4G-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU4J-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU4M-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU4M-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU6A-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU6A-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 6A,50V,GPP,INLINE BRIDGEGBU6A-M3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 6A,100V,GPP,INLINE BRIDGEKBL06-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：KBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBL 封装。KBL06-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 850 mV、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。KBL06-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 4A, 600V Glass Passivated Bridge RECT.KBL08-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 850 mV、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。KBL08-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 4A, 800V Glass Passivated Bridge RECT.KBL10-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 850 mV、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。GBU8A-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU8G-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。