GBPC2508W-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录GBPC2510-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC2510-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC 封装。GBPC35005-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBPC35005-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC 封装。GBPC35005W-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC6005-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC6
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC6 封装。GBPC3501-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC 封装。GBPC3501W-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC3501W-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。GBPC3502-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBPC3508-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC 封装。GBPC3508W-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC3510-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBPC3510W-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC608-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC6
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC6 封装。GBU4D-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBPC610-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC6
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC6 封装。GBPC610-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC6
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC6 封装。GBU25H08-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。