BU1010-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BU1010-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1010-E3\51
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1010-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU1010-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU1010-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 10A,1000V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU1208-E3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 12A,800V,GPP,POWERBRIDGERECTBU1208-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括端接方式 Solder Pad、原产国家或地区 中国。BU2008-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU1208-M3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 12A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU1210-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1210-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1210-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1210-E3\51
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1210-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括端接方式 Solder Pad、原产国家或地区 中国。BU1508-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 15A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU1508-M3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 15A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU2008-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 20A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU2010-M3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 20A,1000V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU2008-M3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 20A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。