TS35P07GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TS40P05G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS40P05GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。TS40P06G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS40P06GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。TS40P07G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS40P07GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。BU1006-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1008-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU1006-E3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 10A,600V,GPP,POWERBRIDGERECTBU1006-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU1006-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU1006-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 10A,600V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU1006-M3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 10A,600V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU1006A-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1008-E3\51
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1008-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。B2S-E3\80
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。B2S-E3/80
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。BU2508-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。