KBPC10/15/2501WP
Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 1.4 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-2 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 250 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 TO-269AA-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 80 V、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 TO-269AA-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 250 V、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 TO-269AA-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 190 V、正向电压(Vf) 950 mV,采用 TO-269AA-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 TO-269AA-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 TO-269AA-4 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。