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199,570 条型号记录
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KBPC3506FP

Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。

KBPC3506WP

Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。

KBPC3508FP

Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。

KBPC3508WP

Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。

GBI40M

Diotec Semiconductor · 封装:GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 40 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBI-4 封装。

GBU10J-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBU-4 封装。

GBI40M-T

Diotec Semiconductor

主要参数包括工作温度范围 - 50 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 40 A、峰值反向电压 1 kV。

GBU10B

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU10B-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU10D

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU10D-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU10G

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU10G-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU10J

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBU-4 封装。

KBP308G

Diotec Semiconductor · 封装:KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBP-4 封装。

KBPC10/15/2504WP

Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。

KBP310G

Diotec Semiconductor · 封装:KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBP-4 封装。

KBPC10/15/2500WP

Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。

KBPC10/15/2501FP

Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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