DB35-12
Diotec Semiconductor · 封装：DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DB-5 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBI10J-T
Diotec Semiconductor
Bridge RectifiersDB35-14
Diotec Semiconductor · 封装：DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1.4 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DB-5 封装。DB35-16
Diotec Semiconductor · 封装：DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DB-5 封装。DBI25-08A
Diotec Semiconductor · 封装：DBI-B-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DBI-B-5 封装。DBI25-12A
Diotec Semiconductor · 封装：DBI-B-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DBI-B-5 封装。DBI25-16A
Diotec Semiconductor · 封装：DBI-B-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DBI-B-5 封装。DBI25-18A
Diotec Semiconductor · 封装：DBI-B-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1.8 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DBI-B-5 封装。GBI10A
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBI10J
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBI35B
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBI35D
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBI35G
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBV15K
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。KBP306G
Diotec Semiconductor · 封装：KBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBP-4 封装。GBV15M
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。KBP202G
Diotec Semiconductor · 封装：KBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBP-4 封装。KBP204G
Diotec Semiconductor · 封装：KBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBP-4 封装。KBP206G
Diotec Semiconductor · 封装：KBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBP-4 封装。KBP208G
Diotec Semiconductor · 封装：KBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。