GBJ3508
Diodes Incorporated · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBJ-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBJ35L06
Diodes Incorporated · 封装：GBJ-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBJ-4 封装。GBJ35S06
Diodes Incorporated · 封装：GBJ-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBJ-4 封装。GBJ40L06
Diodes Incorporated · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 900 mV，采用 GBJ-4 封装。TT8T06-13
Diodes Incorporated · 封装：TTL-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V，采用 TTL-4 封装。TT8T08-13
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。B250S-SLIM
Diotec Semiconductor · 封装：SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SO-DIL-4 封装。B250S15A
Diotec Semiconductor · 封装：SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SO-DIL-4 封装。B250S2A-SLIM
Diotec Semiconductor · 封装：SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 2.3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 950 mV，采用 SO-DIL-4 封装。B380C1500A
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 2.3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SIL-4 封装。B380C1500B
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 2.3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SIL-4 封装。B380C3700A
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 3.7 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SIL-4 封装。B380S2A-SLIM
Diotec Semiconductor · 封装：SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 2.3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 950 mV，采用 SO-DIL-4 封装。B40C1500A
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 2.3 A、峰值反向电压 80 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SIL-4 封装。B40C1500B
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 2.3 A、峰值反向电压 80 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SIL-4 封装。B40C3700A
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 3.7 A、峰值反向电压 80 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SIL-4 封装。B40C5000A
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 5 A、峰值反向电压 80 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SIL-4 封装。DB25-02
Diotec Semiconductor · 封装：DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DB-5 封装。DB25-04
Diotec Semiconductor · 封装：DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DB-5 封装。DB25-06
Diotec Semiconductor · 封装：DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DB-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。