CBRHD-06 TR13 PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、商品名称 Bridge、型号别名 CBRDFSH2-60 TR13。Central Semiconductor · 封装:DFN-A-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 950 mV,采用 DFN-A-4 封装。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、商品名称 Bridge、型号别名 CBRDFSH1-100 TR13。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、商品名称 Bridge、型号别名 CBRDFSH1-40 TR13、单件重量 0.116164 oz。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、商品名称 Bridge、型号别名 CBRDFSH1-60 TR13、单件重量 0.005046 oz。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、商品名称 Bridge、型号别名 CBRDFSH2-100 TR13、单件重量 0.017231 oz。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、商品名称 Bridge、型号别名 CBRDFSH2-40 TR13。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:GBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBP-4 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:GBP-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 600 V,采用 GBP-4 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。