CBR1-D100S PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录680-4E3
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。ABS4
Diotec Semiconductor · 封装：SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SO-DIL-4 封装。ABS6
Diotec Semiconductor · 封装：SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SO-DIL-4 封装。B125C800DM-E3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 0.9A,200V,DIP,BRIDGEB125C800G-E4\51
Vishay
Bridge Rectifiers 0.9A,200V,GPP,SIN PHASE BRIDGEB250C1000G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。DF200AA160
SanRex
主要参数包括原产国家或地区 日本。DF60BA80
SanRex
主要参数包括原产国家或地区 日本。DF75AC160
SanRex
主要参数包括原产国家或地区 日本。S1WB(A)60-7072
Shindengen
Bridge Rectifiers Small Bridge Diode SMDVUO82-16NO7
IXYS · 封装：PWS-D
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C，采用 PWS-D 封装。CD-MMBL110S-H
Bourns · 封装：DFN-3538-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFN-3538-4 封装。CBRHD-01 BK PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国。CBRHDSH1-100 TR13 PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.004473 oz。CBRHD-01 TR13 PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.004473 oz。CBRHD-02 BK PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国。CBRHD-02 TR13 PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.004473 oz。CBRHD-04 BK PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国。CBRHD-06 BK PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。