LVB1560-M3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 3.6 A、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录LVB1560-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 600V,15A Low VF, Single in line BridgeLVB2560-M3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。KBU4K-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：KBU-4
主要参数包括工作温度范围 - 50 C to + 150 C、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 KBU-4 封装。KBU6B-M3/P
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers RECT 100V 6A RDL GLA BRDGKBU4K-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 4A, 800V Glass Passivated Bridge RECT.KBU4M-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：KBU-4
主要参数包括工作温度范围 - 50 C to + 150 C、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V，采用 KBU-4 封装。KBU4M-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 4A, 1000V Glass Passivated Bridge RECT.KBU6A-M3/P
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers RECT 50V 6A RDL GLA BRDGKBU6B-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU8J-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 8A, 600V Glass Passivated Bridge RECT.KBU8D-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU8D-M3/P
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers RECT 200V 8A RDL GLA BRDGKBU8G-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 KBU-4 封装。KBU8G-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 8A, 400V Glass Passivated Bridge RECT.KBU8J-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 KBU-4 封装。VS-161MT180C
Vishay Semiconductors · 封装：MTC
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 1.8 kV、最大浪涌电流 1.61 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 MTC 封装。VS-301MT160C
Vishay Semiconductors · 封装：MTC
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 1.6 kV、最大浪涌电流 2.512 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 MTC 封装。VS-301MT180C
Vishay Semiconductors · 封装：MTC
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 1.8 kV、最大浪涌电流 2.512 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 MTC 封装。CBR1-D100 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：DIP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。