PB3006-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A，采用 SIP-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PB3006-E3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 30A,600V ENHANCE POWER BRIDGEPB3008-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A，采用 SIP-4 封装。RMB2S-E3/80
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A，采用 TO-269AA 封装。VS-161MT160C
Vishay Semiconductors · 封装：MTC
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 1.6 kV、最大浪涌电流 1.61 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 MTC 封装。RMB2S-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。RMB2S-E3\80
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。RMB4S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。RMB4S-E3/80
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。RMB4S-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。RMB4S-E3\80
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。VS-131MT160C
Vishay Semiconductors · 封装：MTC
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 1.6 kV、最大浪涌电流 1.33 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 MTC 封装。VS-131MT180C
Vishay Semiconductors · 封装：MTC
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 1.8 kV、最大浪涌电流 1.33 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 MTC 封装。GSIB660-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 180 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。GSIB660N-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 6A,600V,SINGLE INLINE BRIDGEKBU4K-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU4G-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU4G-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：KBU-4
主要参数包括工作温度范围 - 50 C to + 150 C、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 KBU-4 封装。KBU4G-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 4A, 400V Glass Passivated Bridge RECT.KBU4J-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。