KBU4B-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录KBU4B-M3/P
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers RECT 100V 4A RDL GLA BRDGKBU4D-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。GSIB15A20-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。GSIB15A60-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。GSIB15A20-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。GSIB15A20N-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。GSIB15A20N-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 15A,200V,SINGLE INLINE BRIDGEGSIB15A40-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。GSIB15A40-E3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 15A,400V,SINGLE INLINE BRIDGEGSIB15A40N-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。GSIB15A40N-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 15A,400V,SINGLE INLINE BRIDGEGSIB15A60-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。MB2S-E3/80
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 TO-269AA 封装。PB3008-E3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 30A,800V ENHANCE POWER BRIDGEMB4S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。MB4S-E3/80
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 TO-269AA 封装。MB4S-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。MB6S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。MB6S-E3/80
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。