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GBU6D-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

GBU6D-E3/51

Vishay Semiconductors · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

GBU6D-E3\45

Vishay Semiconductors · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

GBU6D-E3\51

Vishay Semiconductors · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

GBU6D-M3/45

Vishay Semiconductors

主要参数包括原产国家或地区 中国。

GBU6D-M3/51

Vishay Semiconductors

主要参数包括原产国家或地区 中国。

GBU6K-M3/51

Vishay Semiconductors

主要参数包括原产国家或地区 中国。

GBU6M-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

GBU6M-E3/51

Vishay Semiconductors · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

GBU6M-E3\45

Vishay Semiconductors · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

GBU6M-E3\51

Vishay Semiconductors · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

GBU6M-M3/45

Vishay Semiconductors

主要参数包括原产国家或地区 中国。

GBU6M-M3/51

Vishay Semiconductors

主要参数包括原产国家或地区 中国。

GBU8B-E3/51

Vishay Semiconductors · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

GBU8B-E3\45

Vishay Semiconductors · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

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