BU2008-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装:BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BU 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay Semiconductors · 封装:BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BU 封装。Vishay Semiconductors · 封装:BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BU 封装。Vishay Semiconductors · 封装:BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BU 封装。Vishay Semiconductors · 封装:BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BU 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 12 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 GBPC 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 12 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 GBPC 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-W 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-W 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 12 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 GBPC 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-W 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-W 封装。Vishay
主要参数包括端接方式 Solder Pin。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-W 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-W 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。