GBU8D-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GSIB15A60N-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。GSIB15A60N-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 15A,600V,SINGLE INLINE BRIDGEBU1510-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU2006-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1510-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1510-E3\51
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1510-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU1510-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU1510-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 15A,1000V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU1510-M3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 15A,1000V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU2006-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU2006-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU2006-E3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 20A,600V,GPP,POWERBRIDGERECTBU2008-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU2006-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU2006-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU2006-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 20A,600V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU2006-M3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 20A,600V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU2008-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。