B80C800GL-801E4\51
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 0.9A,125V,GPP,SIN PHASE BRIDGE分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录B6S-E3/80
Vishay Semiconductors · 封装：TO-269AA
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。B80C800GL-801E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括端接方式 Solder Pin、原产国家或地区 中国、单件重量 0.039507 oz，采用 WOG-4 封装。B80C1000G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 125 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。B80C1000G-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 125 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。B80C1500G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 125 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。B80C1500G-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 125 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。B80C800DM-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFM-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 125 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C，采用 DFM-4 封装。B80C800DM-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：DFM-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 125 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C，采用 DFM-4 封装。B80C800G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 125 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。B80C800G-E4\51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 125 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。BU1006A-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1008-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1006A-E3\45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1006A-E3\51
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU1006A-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU1006A-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。BU1006A-M3\45
Vishay
Bridge Rectifiers 10A,600V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU1006A-M3\51
Vishay
Bridge Rectifiers 10A,600V,STD,INLINE POWER BRIDGEBU1008-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。