TS50P06G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录TS50P06GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。TS50P07G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS50P07GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。TS50P07GHC2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS6K100
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS6K100H
Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K
主要参数包括端接方式 Radial、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 TS4K 封装。GBU802H
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Radial、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU 封装。GBU806-K
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU803
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。GBU803H
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Radial、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU 封装。GBU804
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。GBU804-K
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU804H
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。GBU805
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.190479 oz，采用 GBU-4 封装。GBU805-K
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU805H
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。TS20P07G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 TS-6P-4 封装。TS25P06G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS20P07GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。