GBJ35KGLV
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V，采用 TS-6P-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DBLS209GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。EABS1D
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.388014 oz，采用 ABS-4 封装。EABS1G
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.388014 oz，采用 ABS-4 封装。EABS1J
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.388014 oz，采用 ABS-4 封装。GBJ15KGLV
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V，采用 TS-6P-4 封装。GBJ20KGLV
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 800 V，采用 TS-6P-4 封装。GBJ25KGLV
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V，采用 TS-6P-4 封装。GBJ35KGALV
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V，采用 TS-6P-4 封装。GBL04H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。GBL06
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括原产国家或地区 中国，采用 GBL-4 封装。GBL06H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。GBL08
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括原产国家或地区 中国，采用 GBL-4 封装。GBL08H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。GBL10H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。GBU20KGLV
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBU-4 封装。GBU402H
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 Radial、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 GBU 封装。GBU2504
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU2505
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU2506
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。