801-3
Microchip Technology
Bridge Rectifiers Single Phase Bridge分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录801-4
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Bridge Rectifiers Single Phase Bridge802-1
Microchip Technology
Bridge Rectifiers Single Phase BridgeAPT75DL120HJ
Microchip Technology · 封装：SOT-227-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 75 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.6 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-227-4 封装。JTXM19500/483-03
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Bridge Rectifiers 3 Phase BridgeAPTDR90X1601G
Microchip Technology · 封装：SP-1-12
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 90 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 850 A、最小工作温度 - 40 C，采用 SP-1-12 封装。JTXM19500/469-01
Microchip Technology
Bridge Rectifiers Single Phase BridgeJTXM19500/469-02
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Bridge Rectifiers Single Phase BridgeJTXM19500/469-03
Microchip Technology
Bridge Rectifiers Single Phase BridgeJTXM19500/469-04
Microchip Technology
Bridge Rectifiers Single Phase BridgeJTXM19500/469-05
Microchip Technology
Bridge Rectifiers Single Phase BridgeJTXM19500/483-01
Microchip Technology
Bridge Rectifiers 3 Phase BridgeJTXM19500/483-02
Microchip Technology
主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 1.452471 oz。MQSPB25
Microchip Technology
Bridge Rectifiers BridgesMQSPC25
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Bridge Rectifiers BridgesPD70224ILQ-TR
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主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、湿敏性 是、产品 PoEs、单件重量 0.038608 oz。MDB8S
onsemi · 封装：MicroDIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、最大浪涌电流 30 A、原产国家或地区 中国、反向电流（Ir） 10 uA，采用 MicroDIP 封装。DBL157GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。DBL157G-T
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。DBL204G-T
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。