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GBU4D-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU4G

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU4G-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU4J

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU4K

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU6B-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU4K-LV

Diotec Semiconductor

Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 4A, 150C

GBU4K-LV-T

Diotec Semiconductor

Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 4A, 150C

GBU4K-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU4M

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU4M-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU6A

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU6A-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU6B

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU6D

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU6M

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU6D-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU6G

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU6G-T

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

GBU6J

Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。

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