KBPC608
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 KBPC-2 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录KBPC800
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 KBPC-2 封装。KBPC801
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 KBPC-2 封装。KBPC802
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 KBPC-2 封装。GBI40W
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBU10A-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。GBS4A
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 SIL-4 封装。GBS4B
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 SIL-4 封装。GBS4D
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 SIL-4 封装。GBS4G
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 SIL-4 封装。GBS4J
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 SIL-4 封装。GBS4K
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 SIL-4 封装。GBS4M
Diotec Semiconductor · 封装：SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 SIL-4 封装。GBU10A
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。GBU4A
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU4J-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU4A-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU4B
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU4B-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU4D
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。