GBU6M-T
Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 8A, 150CDiotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 8A, 150CDiotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 190 V、正向电压(Vf) 900 mV,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 380 V、正向电压(Vf) 900 mV,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-4 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。