GBU10K-LV-T
Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 10A, 150C分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBU12D-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU10K-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。GBU10M
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。GBU10M-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12A
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12A-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12B
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12B-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12D
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12G
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU2K-LV-T
Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 2A, 150CGBU12G-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12J
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12J-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12K
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12K-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12M
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU12M-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU2K-LV
Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 2A, 150C型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。