芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBI15G

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI20D

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI15J

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI15J-LV

Diotec Semiconductor

Bridge Rectifiers

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GBI15J-LV-T

Diotec Semiconductor

Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBI, 600V, 15A, 150C

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GBI15J-T

Diotec Semiconductor

Bridge Rectifiers

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GBI15K

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI15M

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI20A

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI20B

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI20G

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI25J-LV

Diotec Semiconductor

Bridge Rectifiers

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GBI20J

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI20K

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI20M

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI25A

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI25B

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI25D

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI25G

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBI-4 封装。

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GBI25J

Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBI-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。