RKBP410
Diodes Incorporated · 封装:KBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 KBL-4 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diodes Incorporated · 封装:KBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 KBL-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:TTL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 TTL-4 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:TTL-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to +150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 600 V,采用 TTL-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:TTL-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to +150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 800 V,采用 TTL-4 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 250 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 250 V、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 250 V、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:D9x5
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 250 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 D9x5 封装。Diotec Semiconductor · 封装:DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压(Vf) 1.05 V,采用 DB-5 封装。Diotec Semiconductor · 封装:DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.05 V,采用 DB-5 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:D9x5
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 D9x5 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 3.7 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 SIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 2.3 A、峰值反向电压 160 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SIL-4 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。