MSB30JL-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:MSBL-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 600 V,采用 MSBL-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:MSBL-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 800 V,采用 MSBL-4 封装。Diodes Incorporated
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主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:KBJ
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to +150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 30 A、峰值反向电压 1 kV,采用 KBJ 封装。Diodes Incorporated
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主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:KBJL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 900 mV、最大浪涌电流 180 A,采用 KBJL-4 封装。Diodes Incorporated
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