GBU30T08
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBU30T08_HF
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU806-01-LS
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU808-01-LS
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。HBS410-13
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。HBS810-13
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。KBJ3008
Diodes Incorporated · 封装：KBJ
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to +150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 30 A、峰值反向电压 800 V，采用 KBJ 封装。KBJ1006G-TU
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。KBJ1008G-TU
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。KBJ1010G-TU
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。KBJ15L06-TU
Diodes Incorporated · 封装：KBJ-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBJ-4 封装。KBJ15L08
Diodes Incorporated · 封装：KBJ-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to +150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V，采用 KBJ-4 封装。KBJ2008G-TU
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。KBJ20L06
Diodes Incorporated · 封装：KBJ-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBJ-4 封装。KBJ3006
Diodes Incorporated · 封装：KBJ
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to +150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 30 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBJ 封装。MRS30M
Diodes Incorporated · 封装：MSBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 MSBL-4 封装。RABS20M
Diodes Incorporated · 封装：SOPA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 60 A，采用 SOPA-4 封装。MRS30M-13
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。MSB22ML-13
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。MSB25JL-13
Diodes Incorporated · 封装：MSBL-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2.5 A、峰值反向电压 600 V，采用 MSBL-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。