GBJ25KH-TU
Diodes Incorporated
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主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:GBJ-4
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to +150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V,采用 GBJ-4 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated · 封装:GBJ-4
主要参数包括技术 Si、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 GBJ-4 封装。Diodes Incorporated
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