ABS20M-13
Diodes Incorporated · 封装:SOPA-4
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1 kV,采用 SOPA-4 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diodes Incorporated · 封装:SOPA-4
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1 kV,采用 SOPA-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOPA-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1 kV,采用 SOPA-4 封装。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 2 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:SO-DIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SO-DIL-4 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。