CBR1-D040 PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.130443 oz。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.130443 oz。Central Semiconductor · 封装:DIP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DIP-4 封装。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国。Central Semiconductor · 封装:SMDIP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SMDIP-4 封装。Central Semiconductor
Bridge Rectifiers . .Central Semiconductor
Bridge Rectifiers Bridge RectifierCentral Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。Central Semiconductor · 封装:DIP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DIP-4 封装。Central Semiconductor
Bridge Rectifiers . .Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。Central Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000Vrrm 1000Vr 700Vrms 1.0A 50ACentral Semiconductor
Bridge Rectifiers 400Vrrm 400Vr 280Vrms 2.0ACentral Semiconductor
Bridge Rectifiers 600Vrrm 600Vr 420Vrms 2.0A 60AComchip Technology · 封装:ABS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 55 A,采用 ABS-4 封装。Comchip Technology
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Comchip Technology
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
主要参数包括组装国家或地区 中国、原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。