JTXM19500/483-03
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Vishay Semiconductors · 封装:GBPC1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 60 A,采用 GBPC1 封装。Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 1A 100Vr 70Vrms 100V 30A IfsmMicro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 1A 60Vr 42Vrms 60V 30A IfsmMicro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 1A 80Vr 56Vrms 80V 30A IfsmMicro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 1A 20Vr 14Vrms 20V 30A IfsmMicro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 1A 40Vr 28Vrms 40V 30A IfsmMicro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 2A 40Vr 28Vrms 40V DC 50A IfsmMicro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 2A 100Vr 70Vrms 1000V DC 50A IfsmMicro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 2A 60Vr 42Vrms 60V DC 50A IfsmCentral Semiconductor · 封装:HDDIP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 400 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 30 A,采用 HDDIP-4 封装。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 TH。Central Semiconductor · 封装:DIP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DIP-4 封装。Central Semiconductor
Bridge Rectifiers . .Central Semiconductor · 封装:DIP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DIP-4 封装。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 美国。Central Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.010582 oz。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。