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GBPC104-E4/51

Vishay Semiconductors · 封装:GBPC1

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 60 A,采用 GBPC1 封装。

LMB110S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

Bridge Rectifiers 1A 100Vr 70Vrms 100V 30A Ifsm

LMB16S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

Bridge Rectifiers 1A 60Vr 42Vrms 60V 30A Ifsm

LMB18S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

Bridge Rectifiers 1A 80Vr 56Vrms 80V 30A Ifsm

LMB12S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

Bridge Rectifiers 1A 20Vr 14Vrms 20V 30A Ifsm

LMB14S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

Bridge Rectifiers 1A 40Vr 28Vrms 40V 30A Ifsm

LMB24S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

Bridge Rectifiers 2A 40Vr 28Vrms 40V DC 50A Ifsm

LMB210S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

Bridge Rectifiers 2A 100Vr 70Vrms 1000V DC 50A Ifsm

LMB26S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

Bridge Rectifiers 2A 60Vr 42Vrms 60V DC 50A Ifsm

CBRHD-04 TR13 PBFREE

Central Semiconductor · 封装:HDDIP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 400 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 30 A,采用 HDDIP-4 封装。

CBR1-D010 PBFREE

Central Semiconductor

主要参数包括原产国家或地区 TH。

CBR1-D010 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:DIP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DIP-4 封装。

CBR1-D020 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:DIP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DIP-4 封装。

CBR1-D020S PBFREE

Central Semiconductor

主要参数包括原产国家或地区 美国。

CBR1-D020S TR13 PBFREE

Central Semiconductor

主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.010582 oz。

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