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分立与功率器件

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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

RDBF152U-13

Diodes Incorporated · 封装：DBF-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 70 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。
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RDBF252-13

Diodes Incorporated · 封装：DBF-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 75 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。
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RDBF32-13

Diodes Incorporated · 封装：DBF-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DBF-4 封装。
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VUO62-16NO7

IXYS · 封装：PWS-D

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-D 封装。
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MB3045S-E3/4W

Vishay Semiconductors

Bridge Rectifiers RECOMMENDED ALT 78-VBT3045BP-M3/4W
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DB104-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：DB-1

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DB-1 封装。
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VS-GBPC3512W

Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。
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PB62-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：PB-6

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 PB-6 封装。
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VS-GBPC2506A

Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-A

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-A 封装。
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CBRDFSH1-40 TR13

Central Semiconductor · 封装：DFN-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 40 V、正向电压（Vf） 490 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 DFN-4 封装。
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CBRDFSH2-100 TR13

Central Semiconductor · 封装：DFN-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 800 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 DFN-4 封装。
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CBRDFSH1-100 TR13

Central Semiconductor · 封装：DFN-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 800 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 DFN-4 封装。
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CBRDFSH2-40 TR13

Central Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 40 V、正向电压（Vf） 490 mV、最大浪涌电流 50 A。
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CBRDFSH2-60 TR13

Central Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 60 V、正向电压（Vf） 600 mV、最大浪涌电流 50 A。
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CBRDFSH1-60 TR13

Central Semiconductor · 封装：DFN-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 60 V、正向电压（Vf） 600 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 DFN-4 封装。
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GBL206 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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GBL206 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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