MSB206S
Rectron · 封装:MSBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2.2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 MSBS-4 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Rectron · 封装:MSBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2.2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 MSBS-4 封装。Rectron · 封装:DB-S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流(Ir) 5 uA,采用 DB-S 封装。Rectron
Bridge Rectifiers MSB-S, 3A, 800V Bridge RectifierRectron · 封装:$1.36
采用 $1.36 封装。Rectron
Bridge Rectifiers MSB-S, 4A, 1000V Bridge RectifierRectron · 封装:MB-F
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 500 mA、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 27.3 A,采用 MB-F 封装。Rectron
Bridge Rectifiers MSB-S, 3A, 50V Bridge RectifierRectron · 封装:MB-F
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 500 mA、峰值反向电压 500 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 27.3 A,采用 MB-F 封装。Rectron · 封装:RS-1M
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 30 A,采用 RS-1M 封装。Rectron
Bridge Rectifiers MSB-S,2.0A,100V Bridge RectifierRectron
Bridge Rectifiers MSB-S, 2.2A, 400V Bridge RectifierRectron
Bridge Rectifiers MSB-S,2.0A,200V Bridge RectifierRectron
Bridge Rectifiers MSB-S, 2.2A, 50V Bridge RectifierRectron
Bridge Rectifiers MSB-S, 2.2A, 100V Bridge RectifierRectron · 封装:DBS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 1200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 40 A,采用 DBS 封装。Rectron · 封装:MD-S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 500 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 30 A,采用 MD-S 封装。Rectron
主要参数包括峰值反向电压 1000 V、反向电压(Vr) 1000 V。Rectron · 封装:RBU
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 RBU 封装。Rectron · 封装:RBU
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 RBU 封装。Rectron · 封装:DBS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、正向电压(Vf) 1.35 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C,采用 DBS 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。