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分立与功率器件

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199,570 条型号记录
每页 20 条

CBR1-D080S TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：SMDIP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMDIP-4 封装。
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CBR1-D040S TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：SMDIP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMDIP-4 封装。
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4RS101M

Rectron · 封装：RS-1M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 130 A，采用 RS-1M 封装。
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MD3F

Rectron

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 300 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A。
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RS2003M

Rectron · 封装：RS-20M

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 RS-20M 封装。
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2RS102M

Rectron · 封装：RS-1M

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 RS-1M 封装。
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2RS101M

Rectron · 封装：RS-1M

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 RS-1M 封装。
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2RS103M

Rectron · 封装：RS-1M

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 RS-1M 封装。
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RBU403M

Rectron · 封装：RBU

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 RBU 封装。
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RBU404M

Rectron · 封装：RBU

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 RBU 封装。
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EDB107S-T

Rectron · 封装：DB-S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DB-S 封装。
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