TIP2955
STMicroelectronics · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 15 A，采用 TO-247-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MJF15031G
ON Semiconductor · 封装：TO-220FP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-220FP-3 封装。2SA1941-O(Q)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 140 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V。TIP3055G
ON Semiconductor · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1.1 V，采用 TO-247-3 封装。TIP33CG
ON Semiconductor · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-247-3 封装。2N3583
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-66-2 封装。FJT44KTF
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.75 V，采用 SOT-223-4 封装。SBC847BPDW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, - 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V, - 0.65 V，采用 SOT-363-6 封装。BC817-16-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC817-40-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC847BW-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-323-3 封装。BC807-40-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV、最大直流集电极电流 - 1 A，采用 SOT-23-3 封装。PMBTA56,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。BC807-16-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV、最大直流集电极电流 - 1 A，采用 SOT-23-3 封装。BC857C-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 650 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC857BWT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SC-70-3 封装。PMBT2907A,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-23-3 封装。BC847BWT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SC-70-3 封装。MMBT4403-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.75 V，采用 SOT-23-3 封装。BC847B,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。