MAX984ESE+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为比较器，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 11 V、电源电压（最小值） 2.5 V、比较器类型 General Purpose、输出类型 Open Drain、输入失调电压（Vos） 10 mV，采用 SOIC-Narrow-16 封装。模拟与信号链
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型号列表
65,377 条型号记录MAX907CSA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为比较器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最大双电源电压 +/- 2.75 V、最小双电源电压 +/- 2.25 V、工作电源电压 5 V，采用 SOIC-8 封装。TLV3702CDGKR
Texas Instruments · 封装：VSSOP-8
该型号为比较器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 2.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 1.25 V，采用 VSSOP-8 封装。MCP6566UT-E/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
该型号为比较器，主要参数包括产品 Analog Comparators、单件重量 0.000564 oz，采用 SOT-23-5 封装。MCP6541-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.6 V、工作电源电压 5.5 V、每通道输出电流 2 mA、技术 CMOS，采用 SOIC-8 封装。LM2903PWRG3
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为比较器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 2 V、工作电源电压 2～30 V、高电平输出电流 0.1 nA、低电平输出电流 6 mA，采用 TSSOP-8 封装。MAX9012EUA+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
该型号为比较器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、技术 Bipolar、比较器类型 General Purpose，采用 USOP-8 封装。MAX901BCSE+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
该型号为比较器，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 10 V、电源电压（最小值） 5 V、双电源电压 +/- 3 V、最大双电源电压 +/- 5 V, 7 V、最小双电源电压 +/- 2.5 V，采用 SOIC-16 封装。TLV3691IDPFT
Texas Instruments · 封装：X2SON-6
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6.5 V、电源电压（最小值） 0.9 V、工作电源电压 900 mV to 6.5 V、比较器类型 General Purpose、输出类型 Push-Pull，采用 X2SON-6 封装。MCP6544-I/SL
Microchip Technology · 封装：SOIC-14
该型号为比较器，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.6 V、工作电源电压 5.5 V、每通道输出电流 2 mA、技术 CMOS，采用 SOIC-14 封装。MAX931CPA+
Maxim Integrated · 封装：DIP-8
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 11 V、电源电压（最小值） 2.5 V、比较器类型 General Purpose with Reference、输出类型 Complementary、工作电源电流 3.2 uA，采用 DIP-8 封装。MCP6544-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-14
该型号为比较器，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.6 V、工作电源电压 5.5 V、每通道输出电流 2 mA、技术 CMOS，采用 PDIP-14 封装。NCS2202SN1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-5
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 850 mV、工作电源电压 3 V, 5 V、技术 CMOS、比较器类型 General Purpose，采用 SOT-23-5 封装。MCP6544-E/SL
Microchip Technology · 封装：SOIC-14
该型号为比较器，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.6 V、工作电源电压 3 V, 5 V、技术 CMOS、输出类型 Push-Pull，采用 SOIC-14 封装。TSX3702IQ2T
STMicroelectronics · 封装：DFN-8
该型号为比较器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～16 V、每通道输出电流 6 mA、比较器类型 General Purpose，采用 DFN-8 封装。TSM109AIDT
STMicroelectronics · 封装：SO-8
该型号为比较器，主要参数包括每通道输出电流 1 mA、最大工作温度 + 105 C、产品 Analog Comparators、湿敏性 是、共模电压（Vcm） 2～36 V、单件重量 0.017870 oz，采用 SO-8 封装。MCP6567T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为比较器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作电源电压 3 V, 5 V、技术 CMOS、输出类型 Open Drain，采用 SOIC-8 封装。LMV331IDCKT
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、每通道输出电流 10 mA、技术 Bipolar，采用 SC70-5 封装。ADCMP605BCPZ-WP
Analog Devices · 封装：LFCSP-12
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V、比较器类型 General Purpose with Latch、输出类型 LVDS，采用 LFCSP-12 封装。LMV339DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-14
该型号为比较器，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5 V、每通道输出电流 23 mA、比较器类型 General Purpose，采用 SOIC-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。