MCP6567-E/MS
Microchip Technology · 封装:MSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、工作电源电压 3 V, 5 V、技术 CMOS、输出类型 Open Drain,采用 MSOP-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:MSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、工作电源电压 3 V, 5 V、技术 CMOS、输出类型 Open Drain,采用 MSOP-8 封装。Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 2.7 V、比较器类型 General Purpose、输入偏置电流(Ib) - 300 nA、输入失调电压(Vos) 5 mV,采用 SOIC-8 封装。STMicroelectronics · 封装:TSSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 16 V、电源电压(最小值) 4 V、最小双电源电压 1.35 V、工作电源电压 18 V、每通道输出电流 4 mA,采用 TSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOT-23-5
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 1 V,采用 SOT-23-5 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 15 V、双电源电压 +/- 15 V、工作电源电压 36 V、每通道输出电流 25 mA,采用 DIP-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 5 V、双电源电压 +/- 5 V、工作电源电压 5~10 V、技术 BiCMOS,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V, 9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V、技术 Bipolar、比较器类型 General Purpose,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2 V、最小双电源电压 1 V、工作电源电压 2~30 V、每通道输出电流 6 mA,采用 SOIC-8 封装。Diodes Incorporated · 封装:MSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2 V、每通道输出电流 16 mA、比较器类型 Precision、输出类型 CMOS, TTL,采用 MSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:SC70-5
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~5.5 V、比较器类型 General Purpose、输出类型 Push-Pull,采用 SC70-5 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 16 V、电源电压(最小值) 1.4 V、工作电源电压 1.4~16 V、每通道输出电流 6 mA、比较器类型 Differential,采用 SOIC-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 24 V、电源电压(最小值) 15 V、双电源电压 +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 12 V、最小双电源电压 +/- 7.5 V,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1 V,采用 SOIC-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 1.5~16 V、最大双电源电压 16 V、最小双电源电压 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、技术 CMOS、比较器类型 General Purpose,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:PDIP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2 V、工作电源电压 2~36 V、比较器类型 General Purpose、输出类型 Rail-to-Rail,采用 PDIP-14 封装。Texas Instruments · 封装:PDIP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2 V、工作电源电压 2~36 V、每通道输出电流 6 mA、比较器类型 Differential,采用 PDIP-14 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~5.5 V、每通道输出电流 5 mA、技术 Bipolar,采用 TSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 TSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、最小双电源电压 1 V、工作电源电压 2~30 V、每通道输出电流 6 mA,采用 TSSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。