LM339DBR
Texas Instruments · 封装:SSOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1 V,采用 SSOP-14 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SSOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1 V,采用 SSOP-14 封装。Maxim Integrated · 封装:SOIC-16
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 11 V、电源电压(最小值) 2.5 V、比较器类型 General Purpose with Reference、输出类型 Complementary、工作电源电流 6.5 uA,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOT-23-5
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 8 V、电源电压(最小值) 2 V、工作电源电压 3 V, 5 V、技术 CMOS、比较器类型 General Purpose,采用 SOT-23-5 封装。Texas Instruments · 封装:VSSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、工作电源电压 1.8~5 V、技术 CMOS、比较器类型 General Purpose,采用 VSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOT-23-5
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 16 V、电源电压(最小值) 2.7 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 1.35 V,采用 SOT-23-5 封装。Maxim Integrated · 封装:SOIC-16
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 10.5 V、电源电压(最小值) 4.75 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 5.25 V, 5.25 V、最小双电源电压 +/- 2.375 V, 4.75 V,采用 SOIC-16 封装。Maxim Integrated · 封装:SOIC-16
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 11 V、电源电压(最小值) 2.5 V、比较器类型 General Purpose with Reference、输出类型 Complementary、工作电源电流 6.5 uA,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 16 V、电源电压(最小值) 3 V、最小双电源电压 2 V、工作电源电压 3~16 V、每通道输出电流 6 mA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SO-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1 V,采用 SO-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1 V,采用 SOIC-14 封装。Texas Instruments · 封装:PDIP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 1.5~16 V、最大双电源电压 16 V、最小双电源电压 1.5 V,采用 PDIP-8 封装。Diodes Incorporated
该型号为比较器,主要参数包括产品 Analog Comparators、湿敏性 是。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 18 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 1 V,采用 DIP-14 封装。Analog Devices · 封装:QSOP-20
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、双电源电压 - 5.2 V, 5 V、最大双电源电压 - 5.45 V, 5.25 V、最小双电源电压 - 4.96 V, 4.75 V,采用 QSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:PDIP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 24 V、电源电压(最小值) 15 V、双电源电压 +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 12 V、最小双电源电压 +/- 7.5 V,采用 PDIP-8 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、工作电源电压 3 V, 5 V、每通道输出电流 30 mA、技术 CMOS,采用 TSSOP-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOT-23-5
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 16 V、电源电压(最小值) 2.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 1.35 V,采用 SOT-23-5 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 5 V、双电源电压 +/- 5 V、工作电源电压 5~10 V、技术 BiCMOS,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、工作电源电压 3 V, 5 V、技术 CMOS、输出类型 Push-Pull,采用 SOIC-14 封装。Analog Devices · 封装:SC-70-6
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V、每通道输出电流 50 mA、技术 XFCB2.0,采用 SC-70-6 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。