LM311DRE4
Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 18 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 9 V,采用 DIP-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1 V,采用 TSSOP-14 封装。Diodes Incorporated
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电流 1.2 mA、产品 Analog Comparators、湿敏性 是。Texas Instruments · 封装:VSSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、最小双电源电压 1 V、工作电源电压 2~30 V、每通道输出电流 6 mA,采用 VSSOP-8 封装。Diodes Incorporated
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电流 1.2 mA、产品 Analog Comparators。STMicroelectronics · 封装:TSSOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2 V、最小双电源电压 1 V、工作电源电压 36 V、每通道输出电流 18 mA,采用 TSSOP-8 封装。STMicroelectronics · 封装:QFN-16
该型号为比较器,主要参数包括电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 2 V、高电平输出电流 1 uA、比较器类型 Differential、输入偏置电流(Ib) 25 nA、输入失调电压(Vos) 5 mV,采用 QFN-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、最小双电源电压 1 V、工作电源电压 2~30 V、每通道输出电流 6 mA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、最小双电源电压 1 V、工作电源电压 2~30 V、每通道输出电流 6 mA,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 2 V、最小双电源电压 1 V、工作电源电压 2~30 V、每通道输出电流 6 mA,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOT-23-5
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.6 V、工作电源电压 5.5 V、每通道输出电流 2 mA、技术 CMOS,采用 SOT-23-5 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 4 V、最小双电源电压 1 V、工作电源电压 4~30 V、每通道输出电流 6 mA,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 18 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 1 V,采用 SOP-14 封装。Renesas / Intersil · 封装:QFN-EP-72
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、比较器类型 Window、高度 0.9 mm、长度 10 mm、产品 Analog Comparators、宽度 10 mm,采用 QFN-EP-72 封装。ON Semiconductor · 封装:TSOP-5
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、比较器类型 General Purpose、输出类型 Open Drain、输入偏置电流(Ib) 1 nA,采用 TSOP-5 封装。ON Semiconductor · 封装:TSSOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 3 V、最小双电源电压 2.5 V、工作电源电压 5 V, 9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V、每通道输出电流 16 mA,采用 TSSOP-14 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOP-8
该型号为比较器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 9 V,采用 SOP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 18 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 1 V,采用 SOP-14 封装。ON Semiconductor · 封装:TSSOP-14
该型号为比较器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 3 V、最小双电源电压 2.5 V、工作电源电压 5 V, 9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V、每通道输出电流 16 mA,采用 TSSOP-14 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。